1976 ರಲ್ಲಿ, Zumsteg ಮತ್ತು ಇತರರು. ರುಬಿಡಿಯಮ್ ಟೈಟಾನಿಲ್ ಫಾಸ್ಫೇಟ್ (RbTiOPO) ಬೆಳೆಯಲು ಜಲೋಷ್ಣೀಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ₄, RTP) ಸ್ಫಟಿಕ ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗಿದೆ. ಆರ್ಟಿಪಿ ಸ್ಫಟಿಕವು ಆರ್ಥೋಹೋಂಬಿಕ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಾಗಿದೆ, ಮಿಮೀ2 ಪಾಯಿಂಟ್ ಗುಂಪು, P_{ಎನ್ / ಎ21} ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ಗುಂಪು, ದೊಡ್ಡ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕದ ಸಮಗ್ರ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಳಕಿನ ಹಾನಿ ಮಿತಿ, ಕಡಿಮೆ ವಾಹಕತೆ, ವ್ಯಾಪಕ ಪ್ರಸರಣ ಶ್ರೇಣಿ, ನಾನ್-ಡಿಲಿಕ್ವೆಸೆಂಟ್, ಕಡಿಮೆ ಅಳವಡಿಕೆ ನಷ್ಟ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪುನರಾವರ್ತನೆಯ ಆವರ್ತನದ ಕೆಲಸಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು (100 ವರೆಗೆ kHz), ಇತ್ಯಾದಿ. ಮತ್ತು ಬಲವಾದ ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಬೂದು ಗುರುತುಗಳು ಇರುವುದಿಲ್ಲ. ಇತ್ತೀಚಿನ ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕ್ ಕ್ಯೂ-ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಜನಪ್ರಿಯ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪುನರಾವರ್ತನೆಯ ದರದ ಲೇಸರ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.

RTP ಯ ಕಚ್ಚಾ ವಸ್ತುಗಳು ಕರಗಿದಾಗ ಅವು ಕೊಳೆಯುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಕರಗುವ ಎಳೆಯುವ ವಿಧಾನಗಳಿಂದ ಬೆಳೆಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಫ್ಲಕ್ಸ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕಚ್ಚಾ ಸಾಮಗ್ರಿಗಳಲ್ಲಿ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯಿಂದಾಗಿ, ಇದು’ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ RTP ಬೆಳೆಯಲು ತುಂಬಾ ಕಠಿಣವಾಗಿದೆ. 1990 ರಲ್ಲಿ ವಾಂಗ್ ಜಿಯಾಂಗ್ ಮತ್ತು ಇತರರು 15 ರ ಬಣ್ಣರಹಿತ, ಸಂಪೂರ್ಣ ಮತ್ತು ಏಕರೂಪದ RTP ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸ್ವಯಂ-ಸೇವಾ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿದರು. ಮಿಮೀ×44 ಮಿಮೀ×34 ಮಿಮೀ, ಮತ್ತು ಅದರ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಬಗ್ಗೆ ವ್ಯವಸ್ಥಿತ ಅಧ್ಯಯನವನ್ನು ನಡೆಸಿತು. 1992 ರಲ್ಲಿ ಒಸೆಲೆಡ್ಚಿಕ್ಮತ್ತು ಇತರರು. 30 ಗಾತ್ರದೊಂದಿಗೆ RTP ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ಇದೇ ರೀತಿಯ ಸ್ವಯಂ-ಸೇವಾ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ ಮಿಮೀ×40 ಮಿಮೀ×60 ಮಿಮೀ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೇಸರ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ. 2002 ರಲ್ಲಿ ಕಣ್ಣನ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ MoO ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ₃ (0.002 mol%) ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ RTP ಹರಳುಗಳನ್ನು ಸುಮಾರು 20 ಗಾತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಬೆಳೆಯಲು ಅಗ್ರ-ಬೀಜದ ವಿಧಾನದಲ್ಲಿ ಫ್ಲಕ್ಸ್ ಆಗಿ ಮಿಮೀ 2010 ರಲ್ಲಿ ರಾತ್ ಮತ್ತು ಟ್ಸೆಟ್ಲಿನ್ ಅವರು ಕ್ರಮವಾಗಿ [100] ಮತ್ತು [010] ದಿಕ್ಕಿನ ಬೀಜಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ, ಅಗ್ರ-ಬೀಜದ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ RTP ಅನ್ನು ಬೆಳೆಯುತ್ತಾರೆ.

KTP ಸ್ಫಟಿಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಅದರ ತಯಾರಿಕೆಯ ವಿಧಾನಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಒಂದೇ ಆಗಿರುತ್ತವೆ, RTP ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಪ್ರತಿರೋಧವು 2 ರಿಂದ 3 ಆರ್ಡರ್ಗಳಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ (10⁸ Ω·cm), ಆದ್ದರಿಂದ RTP ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೈಟಿಕ್ ಹಾನಿ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿಲ್ಲದೆ EO Q-ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. 2008 ರಲ್ಲಿ ಶಾಲ್ಡಿನ್ಮತ್ತು ಇತರರು. ಸುಮಾರು 0.5 ರ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯೊಂದಿಗೆ ಏಕ-ಡೊಮೇನ್ RTP ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ಅಗ್ರ-ಬೀಜದ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗಿದೆ×10¹² Ω·cm, ಇದು ದೊಡ್ಡ ಸ್ಪಷ್ಟ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರದೊಂದಿಗೆ EO Q- ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳಿಗೆ ಬಹಳ ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಿದೆ. 2015 ರಲ್ಲಿ ಝೌ ಹೈಟಾವೊಮತ್ತು ಇತರರು. 20 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಕ್ಷದ ಉದ್ದವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ RTP ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದೆ ಮಿಮೀ ಜಲೋಷ್ಣೀಯ ವಿಧಾನದಿಂದ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯು 10 ಆಗಿತ್ತು¹¹~10¹² Ω·ಸೆಂ.ಮೀ. RTP ಸ್ಫಟಿಕವು ಬಯಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, EO Q- ಸ್ವಿಚ್ ಆಗಿ ಬಳಸಿದಾಗ ಇದು LN ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು DKDP ಸ್ಫಟಿಕಕ್ಕಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಜೋಡಿಯಲ್ಲಿ ಒಂದು RTP ಅನ್ನು 90 ತಿರುಗಿಸಬೇಕು°ನೈಸರ್ಗಿಕ ಬೈರ್ಫ್ರಿಂಗನ್ಸ್ಗೆ ಸರಿದೂಗಿಸಲು ಬೆಳಕಿನ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ. ಈ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕೆ ಸ್ಫಟಿಕದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಏಕರೂಪತೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಕ್ಯೂ-ಸ್ವಿಚ್‌ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಳಿವಿನ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಎರಡು ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಉದ್ದವು ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿರಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ.

ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿ ಇಒ ಕ್ಯೂ-ಸ್ವಿಚ್ing ಜೊತೆ ವಸ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪುನರಾವರ್ತನೆಯ ಆವರ್ತನ, RTP ಸ್ಫಟಿಕs ಗಾತ್ರದ ಮಿತಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುತ್ತದೆ ಇದು ದೊಡ್ಡವರಿಗೆ ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಸ್ಪಷ್ಟ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರ (ವಾಣಿಜ್ಯ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಗರಿಷ್ಠ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರವು ಕೇವಲ 6 ಮಿಮೀ). ಆದ್ದರಿಂದ, RTP ಹರಳುಗಳ ತಯಾರಿಕೆ ಜೊತೆಗೆ ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಹಾಗೆಯೇ ದಿ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಗೆ ತಂತ್ರ ನ RTP ಜೋಡಿಗಳು ಇನ್ನು ಬೇಕು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಸಂಶೋಧನಾ ಕೆಲಸ.